- Сотрудникам
- Телефонный справочник
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Генератор рабочих программ
- Генератор ОПОП
- Генератор ИПРП
- Показатели эффективности труда ППС
- Спорт в ТУСУРе
- Профком сотрудников
- Облачное хранилище ТУСУРа
Диссертация «Разработка и исследование сверхвысокочастотных гетероструктурных GaAs низкобарьерных диодов и монолитных интегральных схем на их основе»
Соискатель учёной степени: Юнусов Игорь Владимирович
Претендует на степень: Кандидат технических наук
Название диссертации: Разработка и исследование сверхвысокочастотных гетероструктурных GaAs низкобарьерных диодов и монолитных интегральных схем на их основе
Специальность: 01.04.04 - Физическая электроника
Диссертационный совет: Д 212.268.04
Научный руководитель\консультант: Кагадей Валерий Алексеевич (Доктор физико-математических наук)
Дата размещения диссертации: 28 сентября 2017
Дата защиты диссертации: 28 декабря 2017, 15:25, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, каб 201
Дата публикации объявления: 09 октября 2017
- Диссертация (от 28 сентября 2017)
- Заключение организации (от 17 октября 2017)
- Отзыв научного руководителя\консультанта (от 17 октября 2017)
- Автореферат (от 17 октября 2017)
- Протокол принятия к защите (от 11 октября 2017)
- Заключение диссертационного совета (от 29 декабря 2017)
- Протокол защиты (от 29 декабря 2017)
Официальные оппоненты
| Ф.И.О | Учёная степень | Учёное звание | Место работы | Должность | Отзыв | Сведения/Публикации | Дата размещения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Гилинский Александр Михайлович |
Кандидат физико-математических наук | Без ученого звания | ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН | старший научный сотрудник | Cкачать | Cкачать | 12 декабря 2017 |
|
Айзенштат Геннадий Исаакович |
Доктор технических наук | Без ученого звания | АО "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" | начальник лаборатории 41 | Cкачать | Cкачать | 12 декабря 2017 |
Отзывы на автореферат
| Ф.И.О | Учёная степень | Место работы | Должность | Отзыв | Дата размещения |
|---|---|---|---|---|---|
| Данилин Алексей Борисович | Доктор физико-математических наук | ООО "Иннотра" | генеральный директор | Cкачать | 22 ноября 2017 |
| Ковешников Сергей Викторович | Кандидат физико-математических наук | ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН | зам. директора | Cкачать | 07 декабря 2017 |
| Якимов Евгений Борисович | Доктор физико-математических наук | ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН | главный научный сотрудник | ||
| Нефёдцев Евгений Валерьевич | Кандидат физико-математических наук | ФГБУН Институт сильноточной электроники СО РАН | старший научный сотрудник | Cкачать | 07 декабря 2017 |
| Панасенко П. В. | Доктор технических наук | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники | зам. генерального директора | Cкачать | 07 декабря 2017 |
| Протасов Дмитрий Юрьевич | Кандидат физико-математических наук | ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН | старший научный сотрудник лаборатории кинетических явлений в полупроводниках | Cкачать | 07 декабря 2017 |
| Преображенский Валерий Владимирович | Кандидат физико-математических наук | ФГБУН "Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН" | заведующий лабораторией физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур | Cкачать | 13 декабря 2017 |
| Чистохин Игорь Борисович | Кандидат физико-математических наук | ФГБУН "Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН" | с.н.с. лаборатории физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур | ||
| Коханенко Андрей Павлович | Доктор физико-математических наук | ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский Томский государственный университет" | профессор кафедры квантовой электроники и фотоники | Cкачать | 18 декабря 2017 |
| Кищинский Андрей Александрович | Кандидат технических наук | АО "Микроволновые системы" | главный конструктор | Cкачать | 22 декабря 2017 |