Размер шрифта:
+
Цвет сайта:
Изображения:
Вкл. Выкл.
Сайты ТУСУРа

Диссертация «Разработка и исследование сверхвысокочастотных гетероструктурных GaAs низкобарьерных диодов и монолитных интегральных схем на их основе»

Соискатель учёной степени: Юнусов Игорь Владимирович

Претендует на степень: Кандидат технических наук

Название диссертации: Разработка и исследование сверхвысокочастотных гетероструктурных GaAs низкобарьерных диодов и монолитных интегральных схем на их основе

Специальность: 01.04.04 - Физическая электроника

Диссертационный совет: Д 212.268.04

Научный руководитель\консультант: Кагадей Валерий Алексеевич (Доктор физико-математических наук)

Дата размещения диссертации: 28 сентября 2017

Дата защиты диссертации: 28 декабря 2017, 15:25, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, каб 201

Дата публикации объявления: 09 октября 2017

Ведущая организация

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский государственный технический университет" (НГТУ) Скачать Скачать 13 декабря 2017

Официальные оппоненты

Гилинский Александр Михайлович
Кандидат физико-математических наук Без ученого звания ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН старший научный сотрудник Cкачать Cкачать 12 декабря 2017
Айзенштат Геннадий Исаакович
Доктор технических наук Без ученого звания АО "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" начальник лаборатории 41 Cкачать Cкачать 12 декабря 2017

Отзывы на автореферат

Данилин Алексей Борисович Доктор физико-математических наук ООО "Иннотра" генеральный директор Cкачать 22 ноября 2017
Ковешников Сергей Викторович Кандидат физико-математических наук ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН зам. директора Cкачать 07 декабря 2017
Якимов Евгений Борисович Доктор физико-математических наук ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН главный научный сотрудник
Нефёдцев Евгений Валерьевич Кандидат физико-математических наук ФГБУН Институт сильноточной электроники СО РАН старший научный сотрудник Cкачать 07 декабря 2017
Панасенко П. В. Доктор технических наук Научно-исследовательский институт молекулярной электроники зам. генерального директора Cкачать 07 декабря 2017
Протасов Дмитрий Юрьевич Кандидат физико-математических наук ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН старший научный сотрудник лаборатории кинетических явлений в полупроводниках Cкачать 07 декабря 2017
Преображенский Валерий Владимирович Кандидат физико-математических наук ФГБУН "Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН" заведующий лабораторией физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур Cкачать 13 декабря 2017
Чистохин Игорь Борисович Кандидат физико-математических наук ФГБУН "Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН" с.н.с. лаборатории физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур
Коханенко Андрей Павлович Доктор физико-математических наук ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский Томский государственный университет" профессор кафедры квантовой электроники и фотоники Cкачать 18 декабря 2017
Кищинский Андрей Александрович Кандидат технических наук АО "Микроволновые системы" главный конструктор Cкачать 22 декабря 2017